氮化铝陶瓷基板,具有非常高的导热性 (170-230W/mK) 和绝缘性能。并不断提高其性能。氮化铝陶瓷是应用在要求较严格的电子元件的优秀解决方案,例如用于冷却和保护电路、封装和模块的功率模块LED 封装等。
氮化铝陶瓷基板,具有非常高的导热性 (170-230W/mK) 和绝缘性能。并不断提高其性能。氮化铝陶瓷是应用在要求较严格的电子元件的优秀解决方案,例如用于冷却和保护电路、封装和模块的功率模块LED 封装等。
氮化铝陶瓷具有以下特点:
1、高导热性 (170-230W/mK),高达氧化铝的 9.5 倍。
2、热膨胀系数与硅 (Si) 相似。这有助于实现 Si 芯片和热循环的高可靠性。
3、更高的电绝缘性和更小的介电常数。
4、更高的机械强度 (450MPa)。
5、对熔融金属具有出色的耐腐蚀性。
6、纯度极高,无毒性。
氮化铝陶瓷经常用于电子封装材料,微波通信器件,半导体制造设备部件,LED散热基板,激光二极管散热元件等,也可用于进行各种金属化处理。